Discussion:Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde

Dépannage

Jeudi 05 Octobre 2006. Bonjour. Pour dépanner un distorsiomètre Hewlett Packard 331A de 1974, je cherche un transistor "J-Fet P-Chan, D-mod". Le P/N HP est:1855-C209. Monté en comparateur dans un pont de Wien, la résistance de polarisation de gate vaut 12 MOhms. Voilà un transistor rare comme savait le faire HP. Y a-t-il un remplacement? Si non, le distorsiomètre sera irréparable. Merci par avance. Pierre.

Désolé, mais wikipédia est une encyclopédie, pas un magasin de pièces détachées... Vous pouvez essayer google aussi bien que moi. Ceci dit, vous êtes le (la) bienvenu(e) ici. --GaAs 5 octobre 2006 à 21:19 (CEST)

Validité des informations

"Il trouve ses applications dans les circuits intégrés logiques (mémoires, FPGA, microprocesseurs...), en particulier avec la technologie CMOS, ainsi que dans l'électronique de puissance (alimentations à découpage, variateurs de vitesse,...)."

Faites attention à la rigueur des informations données sur Wikipédia. Sachez que la technologie CMOS est désormais employée tant dans le domaine numérique qu'analogique. Jusqu'à il y a encore très peu de temps, seules les applications radio HF utilisaient encore le bipolaire. Maintenant, il tend à être à l'abandon. Je ne connais aucun designer analogique ou RF qui travaille sur du bipolaire.

Je présume, et ce n'est qu'une supposition, que le bipolaire est surtout utilisé dans le domaine de l'électronique discrète, c'est-à-dire sur carte et, peut-être, dans les applications à d'extrêmes hautes fréquences (applications sattellite par exemple).

Lorsque l'on a un doute sur ses informations, je pense qu'il est de bon ton d'indiquer qu'on emmet des réserves... La pertinance et la crédibilité d'un site comme Wikipédia en dépend.

Bonjour. Si vous vous sentez compétent, pourquoi ne pas modifier vous-même l'article ? Voir Wikipédia:N'hésitez pas !.--GaAs 23 octobre 2006 à 10:07 (CEST)

Traduire ou non

Je souhaite écrire cette page, mais je me demande ce qui est le mieux entre traduire l'article existant en anglais ou en commencer un original.

BlanchardJ 15 décembre 2006 à 03:54 (CET)

Personellement, j'ai tendance à traduire et à modifier à ma sauce pendant ou après la trad. C'est plus rapide de faire ainsi si l'article anglais est bien écrit. Ici, l'article anglais a l'air complet, cela doit être plus simple de le traduire puis de le modifier à votre sauce. Si l'article anglais ne vous convient pas, vous pouvez en écrire un 100% de votre jus: personne ne vous en voudra. Yves-Laurent 15 décembre 2006 à 11:01 (CET)

L'article en anglais est pas mal, mais je pense qu'il pourrait gagner en explications sur le principe de base, notamment avec un schéma explicite sur la déplétion/inversion. O-live74 23 décembre 2006 à 11:11 (CET)

Inversion ou Enrichissement

Je souhaitais juste mettre en avant deux termes pour désigner la même chose. Un E-MOS étant aussi appelé un transistor à enrichissement (qui est plus parlant qu'inversion en comparaison avec "déplétion"). Skywalker13 31 janvier 2007 à 09:31 (CET)

En passant, « depletion » se traduit par « appauvrissement » dans ce contexte (pour les figures).

cdang | m'écrire 7 novembre 2007 à 10:42 (CET)

Ig

Est-ce que l'intensité arrivant sur la grille est nulle ? (j'ai l'impression qu'elle est en fait complètement isolée, non ?). Simla 26 mai 2007 à 22:52 (CEST)

Le courant est quasi-nul en régime statique. BlanchardJ

A titre d'exemple, le courant de polarisation d'un aop avec des transistors d'entrée a FET peut descendre sous les 10fA.Yves-Laurent 27 mai 2007 à 14:13 (CEST)

Ok merci beaucoupSimla 28 mai 2007 à 12:28 (CEST)

saturation

Comparez le graphique de saturation avec ceux du transistor bipolaire...