Néopentasilane
| Néopentasilane | |||
| Identification | |||
|---|---|---|---|
| No CAS | |||
| PubChem | 57469214 | ||
| SMILES | |||
| InChI | |||
| Apparence | liquide incolore pyrophorique[1] | ||
| Propriétés chimiques | |||
| Formule | Si(SiH3)4 | ||
| Masse molaire[2] | 152,522 8 ± 0,002 3 g/mol H 7,93 %, Si 92,07 %, |
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| Propriétés physiques | |||
| T° ébullition | 132 à 134 °C[1] | ||
| Masse volumique | 0,805 g·cm-3[1] | ||
| T° d'auto-inflammation | < 50 °C[1] | ||
| Point d’éclair | < −40 °C[1] | ||
| Précautions | |||
| SGH[1] | |||
   Danger |
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| Transport[1] | |||
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| Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire. | |||
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Le néopentasilane est un composé chimique de formule Si(SiH3)4. Il se présente sous la forme d'un liquide incolore pyrophorique.
Il est utilisé notamment dans l'industrie des semiconducteurs pour produire des couches minces de silicium par dépôt chimique en phase vapeur[3] (CVD), et permet également d'obtenir du nitrure de silicium Si3N4 par atomic layer deposition assisté par plasma[4] (PE-ALD).
Notes et références[modifier | modifier le code]
- (en) « Neopentasilane »(Archive.org • Wikiwix • Archive.is • Google • Que faire ?), sur gelest.com, Gelest, société du groupe Mitsubishi Chemical (consulté le ).
- Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
- (en) K. H. Chung, N. Yao, J. Benziger, J. C. Sturm, K. K. Singh, D. Carlson et S. Kuppurao, « Ultrahigh growth rate of epitaxial silicon by chemical vapor deposition at low temperature with neopentasilane », Applied Physics Letters, vol. 92, no 11, , article no 113506 (DOI 10.1063/1.2897325, Bibcode 2008ApPhL..92k3506C, lire en ligne)
- (en) Stephen Weeks, Greg Nowling, Nobi Fuchigami, Michael Bowes et Karl Littau, « Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon nitride using neopentasilane », Journal of Vacuum Science & Technology A, vol. 34, no 1, , article no 01A140 (DOI 10.1116/1.4937993, Bibcode 2016JVSTA..34aA140W, lire en ligne)
